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3μm巨量转移获突破!Micro LED量产之路再进一步

2019-10-09    

中国照明网报道

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导语: Mikro Mesa Technology成功开发领先全球的无压合低温键结3μm Micro LED巨量转移技术,让Micro LED显示技术量产之路又往前推进了一大步。

  Mikro Mesa Technology成功开发领先全球的无压合低温键结3μm Micro LED巨量转移技术,让Micro LED显示技术量产之路又往前推进了一大步。

  Mikro Mesa 2017年开始与南京中电熊猫合作,在中电熊猫的实验室,经过两年的开发,完成了此项领先业界的先进显示器技术。

  Mikro Mesa的技术使用了直径3μm的μLED芯片,为领先业界的超微小尺寸,让磊晶片的利用率达到极致的高水准。转移尺寸接近4吋,一次可容纳高达数百万颗以上的μLED转移,并可进行多次多色μLED的转移。而大尺寸的转移面积,可大幅减少转移次数,并增加了大尺寸全彩色显示器的量产性。

  除此之外,Mikro Mesa的技术还具备了低温免压键合特点,确保了未来高生产效率,同时也可以避免目前业界加压键合所带来的良率问题,为Micro LED先进显示器制造技术的进程树立了重要里程碑。直径3μm的μLED芯片,大小约为人类头发截面积的1/700。

  该芯片的大小,较目前业界一般常见的Micro LED面积更是小了100倍以上,成为全球第一的创举。据了解,这也是显示器业界首度展示的超过3吋并使用 5μm以下芯片尺寸的μLED显示技术。

  据Mikro Mesa内部人员表示,该显示技术能够转移2~5μm大小的芯片,可以制造出高达1,800dpi等级的高精密度显示器,并可应用在55吋或以上Micro LED电视。换言之,在产品应用上,该技术将从穿戴式装置、智能手机、电视一直到AR产品,均具有独到的竞争优势。

  另外,由于制程温度较低的缘故,该技术更是制造柔性及透明显示器的首选。预期该技术的未来性能与竞争力将远远超过AMOLED,在应用领域上也会更加广阔,大大提升了Micro LED的未来发展性。

  该技术采用了Mikro Mesa的专利制程,芯片采用垂直结构,电流散布比传统Flip-chip覆晶式均匀,同时也能承受更高的电流密度。而芯片与下电极连接后,采用一次性整面封装,上电极可使用ITO或是奈米银线等,对于未来大量生产以及改善光学出光效率等方面,都留有极大的设计弹性。

  此外,因为芯片尺寸微小的缘故,该技术也能达到50%以上的透明度,在达到高解析度的同时,也能做到高穿透率的透明显示器,大幅增加未来应用的可发展性。

  Mikro Mesa Technology由陈立宜博士于2014年成立,该公司致力于Micro LED的研究与量产技术开发,目前已拥有36项美国专利、14项台湾及大陆专利,至于全球申请中的专利更是超过100项以上。

  Mikro Mesa Technology创办人陈立宜表示,该显示技术是Micro LED通往消费型产品应用之路的一大突破,由于芯片尺寸变小,因此Micro LED的材料成本将大幅降低,不但能够与AMOLED比拟,甚至有机会可以与LCD竞争。至于未来在软性显示器以及透明显示器的应用上,能够发展的空间会更大,将可大幅缩短Micro LED技术相关产品上市的时间点。

  陈立宜表示,Mikro Mesa Technology是一家开放的公司,欢迎全球对于Mikro Mesa显示技术有兴趣的厂家一起来合作,不管是对于新型显示器有需求的公司,或是显示器业界的上中下游。大家一起共同开发Micro LED显示技术,让Micro LED能成为新一代革命性的消费电子显示界面。

编辑:严志祥

来源:时报资讯

标签:巨量转移  Micro  LED  量产  

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